最新款PCIe4.0主控芯片解决方案展现绝佳性能和超低功耗,连续读写速度高达每秒7,400/6,800MB。
【2020/10/21,台北及美国加州讯】全球NAND闪存主控芯片设计与营销领导品牌——慧荣科技(NasdaqGS:SIMO)(“SiliconMotion”),今日宣布推出一系列最新款超高性能、低功耗的PCIe4.0NVMe1.4主控芯片解决方案以满足全方位巿场需求,包括专为高端旗舰型ClientSSD设计的SM2264、为主流SSD市场开发的SM2267,以及适用于入门级新型小尺寸应用的SM2267XTDRAM-Less主控芯片。
慧荣科技最新款SSD主控芯片解决方案符合PCIe4.0NVMe1.4规范,完美展现Gen4的超高性能和低功耗特性,结合慧荣独家的错误码纠错(ECC)技术、数据路径和EMI保护,提供完整、稳定的数据保护,满足存储设备所需的高效稳定需求。全球已有10家重量级客户,包括NAND大厂和SSDOEM采用慧荣科技的Gen4主控芯片搭载3DTLC或QLCNAND推出新品。
市调公司TrendFocus副总裁DonJeanette表示:“众所皆知慧荣科技长期以来一直是SSD主控芯片技术的领导者。在Gen4规格日渐受到市场重视的同时,该公司于此时推出新品正好抓住最好的时机,而未来几年Gen4势必成为PC、游戏机及其他消费级设备的标准规格。”
慧荣科技总经理苟嘉章表示:“PCIeGen4将SSD的性能往上推升到另一个层次。我们最新款的PCIe4.0SSD主控芯片为消费级SSD应用提供一套完整的解决方案,能满足全球PCOEM和SSD模块领导厂商的长远需求。目前,多家OEM大厂客户已开始导入我们最新款的Gen4SSD主控芯片在他们的新品开发中,其中已搭载SM2267主控芯片的SSD已进入量产阶段。”
针对高性能和车用等级的PCIeGen4解决方案:SM2264支持Gen4×4通道、8个NAND通道设计
SM2264主要瞄准高性能和车用级SSD应用,搭载四核心ARM?Cortex?-R8CPU,内含四个16Gb/sPCIe数据总线,并支持八个NAND通道,每个通道最高可达每秒1,600MT。SM2264的先进架构采用12nm制程,能够大幅提升数据传输速率、降低功耗并提供更严密的数据保护,连续读写性能最高可达7,400MBs/6,800MBs,随机读写速度最高达1,000KIOPS,提供使用者前所未有的超高性能体验。ARM?Cortex?-R8架构提供高速多线程处理能力,可满足新一代存储应用所需的混合工作负载作业需求。SM2264搭载慧荣科技最新第7代NANDXtend?技术,结合慧荣科技专利的最新高性能4KBLDPC纠错码(ECC)引擎和RAID功能,为最新一代的3DTLC和QLCNAND提供极佳的错误纠错能力。内建SR-IOV功能的SM2264也是车用级存储装置的理想选择,最多可同时为八台虚拟机(VM)提供直接的高速PCIe接口。SM2264目前进入客户送样阶段。
针对主流和入门级PCIeGen4的解决方案:SM2267支持Gen4×4通道、4个NAND通道设计;SM2267XT支持Gen4×4通道、4个NAND通道、DRAM-less
慧荣科技的SM2267和SM2267XT满足主流消费级和高性价比SSD应用需求,具备四个16Gb/s通道的PCIe和四个NAND通道,每个通道的最高速度为1,200MT/s,而连续读写性能更可高达每秒3,900/3,500MB。SM2267包含DRAM接口,而SM2267XTDRAM-less主控芯片可在不影响性能的前提下,满足小尺寸的产品设计需求。两者均搭载NANDXtend?ECC技术,并支持最新一代3DTLC和QLCNAND,提供高性能、高可靠性,最符合经济效益的PCIeNVMeSSD解决方案。SM2267和SM2267XT已进入量产阶段。
关于慧荣
慧荣科技(SiliconMotionTechnologyCorp.,NasdaqGS:SIMO)是全球最大的NAND闪存主控芯片供货商,同时也是SSD主控芯片的市场领导者。我们拥有最多的主控芯片解决方案及相关技术专利,主要使用于智能手机、个人计算机、消费性和工业级应用的SSD及eMMC+UFS等嵌入式存储装置。在过去十年累绩出货量超过60亿颗,居业界之冠。我们同时提供大型数据中心企业级SSD与工业级SSD解决方案。客户包括多数的NAND闪存大厂、存储装置模块厂及OEM领导厂商。慧荣于2005年在美国NASDAQ上市。
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