国产内存花钱购买美国Rambus内存专利 费用未公布
本文来自快科技
在长江存储不断突破3D闪存的同时，国内另一家存储企业合肥长鑫也攻关DDR内存，去年9月份正式量产10nm内存。日前长鑫又宣布与美国Rambus(中文名蓝铂世)达成协议，获得了后者的DRAM技术授权。
与长鑫合作的美国Rambus公司虽然也是NPE(Non-PracticingEntity，非专利执行实体)公司，但在内存技术上还是很有实力的，过去多年中三星、SK海力士、Intel、高通、NVIDIA等公司都跟他们签订了DRAM技术授权协议。
长鑫与Rambus签署的合作协议也涉及DRAM技术授权，不过具体的合作内容及授权费用没有公布，两边对此合作倒是都很满意。
长鑫存储董事长兼CEO朱一明表示：“与蓝铂世达成的协议再次表明，长鑫存储高度重视知识产权相关的国际规则，持续强化知识产权组合。公司致力于通过自主研发与国际合作，不断增加在半导体核心技术和高价值知识产权方面的积累，并以此为基础实现可持续发展，稳步提升市场竞争力。”
长鑫存储2016年5月在安徽合肥启动，总投资1500亿元，专业从事DRAM内存的研发、生产和销售，目前已建成第一座300毫米晶圆厂并投产，并通过专用研发线快速迭代研发，结合当前先进设备大幅度改进工艺，开发出了独有的技术体系。
2019年9月份，合肥长鑫公司宣布总投资1500亿元的合肥长鑫内存芯片自主制造项目投产，将生产国产第一代10nm级8GbDDR4内存。
在内存技术上，长鑫存储的董事长兼CEO朱一明去年披露，他们从已破产的奇梦达公司，获得了一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据，在此基础上改进、研发自主产权的内存芯片，耗资超过25亿美元。
在自研技术之外，长鑫也免不了要跟其他公司合作授权，就在去年底，长鑫存储从Polaris获得了大量DRAM技术专利的实施许可，而这些专利来自Polaris2015年6月从奇梦达母公司英飞凌购得的专利组合。
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